STP8N120K5 STMicroelectronics
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Technische Details STP8N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STP8N120K5 nach Preis ab 3.72 EUR bis 9.73 EUR
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP8N120K5 Produktcode: 213846
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ K5 |
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