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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 6158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 6158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ K5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP8N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: MDmesh™ K5 |
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