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STP8N120K5

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Produktcode: 213846
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.33 EUR
250+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6158 Stücke:
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26+6.54 EUR
32+5.13 EUR
100+4.76 EUR
250+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics stp8n120k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.22 EUR
12+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.DM00492592.pdf MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.78 EUR
10+6.2 EUR
100+5.74 EUR
500+4.9 EUR
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STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.DM00492592.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 165 Stücke:
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2+11.58 EUR
50+6.84 EUR
100+6.4 EUR
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STP8N120K5 STP8N120K5 STMICROELECTRONICS en.DM00492592.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.67 EUR
22+10.6 EUR
31+6.99 EUR
50+6.91 EUR
100+6.83 EUR
250+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP8N120K5 STP8N120K5 STMicroelectronics en.dm00492592.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP8N120K5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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32+5.13 EUR
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STP8N120K5
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 3.5A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STP8N120K5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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STP8N120K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STP8N120K5
Hersteller: STMicroelectronics
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auf Bestellung 14 Stücke:
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STP8N120K5
Hersteller: STMicroelectronics
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Produktcode: 213845
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
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1000uF 35V EFH 13x25mm (EFH102M35B-Hitano)
Produktcode: 123387
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1000uF 35V EFH 13x25mm (EFH102M35B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 35 В
Reihe: EFH
Typ: für Vorschaltgeräte, lange Lebensdauer, 105°C
Temperaturbereich: ...+105°C
Abmessungen: 13x25 mm
Lebensdauer: 10000 Stunden
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erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.43 EUR
10+0.39 EUR
100+0.35 EUR
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470uF 35V EFH 10x20mm (EFH471M35B – Hitano)
Produktcode: 114671
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efh_20160323.pdf
470uF 35V EFH 10x20mm (EFH471M35B – Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 35 В
Reihe: EFH
Typ: für Vorschaltgeräte, lange Lebensdauer, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x20 mm
Lebensdauer: 7000 Stunden
auf Bestellung: 97 St.
  • 97 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.21 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
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2200uF 35V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR222M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 19015
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EXR_080421.pdf
2200uF 35V EXR 16x31mm (low imp.) (EXR222M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x31 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 23 St.
  • 23 St. - stock Köln
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.75 EUR
10+0.68 EUR
100+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH