STP8N80K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.78 EUR |
| 50+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
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Technische Details STP8N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP8N80K5 nach Preis ab 1.74 EUR bis 4.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STP8N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP8N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP8N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP8N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP8N80K5 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP8N80K5 TSTP8N80K5 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP8N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STP8N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP8N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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