STP9N65M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.73 EUR |
| 10+ | 1.75 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 250+ | 1.53 EUR |
| 500+ | 1.30 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| 2000+ | 1.19 EUR |
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Technische Details STP9N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STP9N65M2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STP9N65M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| STP9N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP9N65M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V |
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