
STP9NK60Z STMicroelectronics
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Anzahl | Preis |
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Technische Details STP9NK60Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STP9NK60Z nach Preis ab 0.72 EUR bis 4.66 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.4A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2992 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP9NK60Z | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP9NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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