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STPSC10H065B-TR

STPSC10H065B-TR STMicroelectronics

en.DM00063471.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+2.61 EUR
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Technische Details STPSC10H065B-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

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STPSC10H065B-TR STPSC10H065B-TR Hersteller : STMicroelectronics stpsc10h065-1851793.pdf SiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK
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STPSC10H065B-TR STPSC10H065B-TR Hersteller : STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
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STPSC10H065B-TR STPSC10H065B-TR Hersteller : STMicroelectronics en.dm00063471.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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