STPSC10H065D STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 2.82 EUR |
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| 250+ | 2.69 EUR |
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Technische Details STPSC10H065D STMicroelectronics
Description: 650 V 10 A power Schottky silico, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote STPSC10H065D
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STPSC10H065D | Hersteller : STMicroelectronics |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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STPSC10H065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
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| STPSC10H065D | Hersteller : STMicroelectronics |
STPSC10H065D THT Schottky diodes |
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STPSC10H065D | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: 650 V 10 A power Schottky silico Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
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