Produkte > STMICROELECTRONICS > STPSC10H065DI
STPSC10H065DI

STPSC10H065DI STMicroelectronics


en.DM00063471.pdf Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 1005 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.27 EUR
10+6.04 EUR
25+3.34 EUR
100+3.33 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.73 EUR
2000+2.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STPSC10H065DI STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC, Durchlassstoßstrom: 470A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.75V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STPSC10H065DI nach Preis ab 2.8 EUR bis 7.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STPSC10H065DI STPSC10H065DI Hersteller : STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Description: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.08 EUR
50+3.42 EUR
100+3.4 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DI STPSC10H065DI Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00063471.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
Durchlassstoßstrom: 470A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DI STPSC10H065DI Hersteller : STMicroelectronics en.dm00063471.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DI STPSC10H065DI Hersteller : STMicroelectronics en.dm00063471.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DI Hersteller : STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 425uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 470A
Leakage current: 425µA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC10H065DI Hersteller : STMicroelectronics en.DM00063471.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; Ir: 425uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 470A
Leakage current: 425µA
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH