STPSC10H065DLF STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 170 Stücke:
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Technische Details STPSC10H065DLF STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PowerFLAT, Kapazitive Gesamtladung: 32nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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STPSC10H065DLF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 10A 5-Pin Power Flat EP T/R |
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| STPSC10H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 650V; 10A; PowerFLAT; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Max. load current: 28A Semiconductor structure: single diode Case: PowerFLAT Max. forward voltage: 1.95V Max. forward impulse current: 850A Leakage current: 425µA Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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STPSC10H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
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STPSC10H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
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STPSC10H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode |
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| STPSC10H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 650V; 10A; PowerFLAT; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Max. load current: 28A Semiconductor structure: single diode Case: PowerFLAT Max. forward voltage: 1.95V Max. forward impulse current: 850A Leakage current: 425µA Kind of package: reel; tape |
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