STPSC10H065G2-TR STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G2-TR - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
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Technische Details STPSC10H065G2-TR STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G2-TR - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, D2PAK HV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: D2PAK HV, Kapazitive Gesamtladung: 32nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: ECOPACK2 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote STPSC10H065G2-TR nach Preis ab 2.45 EUR bis 10.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STPSC10H065G2-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC10H065G2-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
auf Bestellung 1668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC10H065G2-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G2-TR - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, D2PAK HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: D2PAK HV Kapazitive Gesamtladung: 32nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: ECOPACK2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H065G2-TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.64 EUR |
| 10+ | 5.58 EUR |
| 100+ | 4.52 EUR |
| 500+ | 4.01 EUR |
| STPSC10H065G2-TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 1668 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.91 EUR |
| 10+ | 4.21 EUR |
| 100+ | 3.28 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 1000+ | 2.7 EUR |
| 2000+ | 2.45 EUR |
| STPSC10H065G2-TR |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G2-TR - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G2-TR - SiC-Schottky-Diode, ECOPACK2 Series, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, D2PAK HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK HV
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: ECOPACK2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 25+ | 10.12 EUR |
| 49+ | 4.81 EUR |
| 100+ | 4.02 EUR |