STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 3.79 EUR |
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Technische Details STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DPAK-HV, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STPSC10H12B2-TR nach Preis ab 3.79 EUR bis 8.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
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STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
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STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DPAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R |
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| STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R |
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| STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
STPSC10H12B2-TR SMD Schottky diodes |
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