STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 3.79 EUR |
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Technische Details STPSC10H12B2-TR STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: DPAK HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote STPSC10H12B2-TR nach Preis ab 3.17 EUR bis 8.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode |
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STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 4653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DPAK-HV Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R |
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| STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R |
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| STPSC10H12B2-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R |
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