STPSC10H12G-TR STMicroelectronics
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| 1000+ | 4.53 EUR |
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Technische Details STPSC10H12G-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote STPSC10H12G-TR nach Preis ab 4.03 EUR bis 8.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
 Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
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