STPSC10H12G-TR STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1000+ | 4.76 EUR |
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Technische Details STPSC10H12G-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote STPSC10H12G-TR nach Preis ab 4.9 EUR bis 10.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode |
auf Bestellung 3985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 1.2kV; 10A; D2PAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 420A Max. forward voltage: 2.25V Leakage current: 0.4mA Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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| STPSC10H12G-TR | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 1.2kV; 10A; D2PAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Max. load current: 25A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 420A Max. forward voltage: 2.25V Leakage current: 0.4mA |
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