STPSC10TH13TI STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.09 EUR |
| 29+ | 8.12 EUR |
| 30+ | 7.2 EUR |
| 50+ | 6.9 EUR |
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Technische Details STPSC10TH13TI STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10TH13TI - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, zweifach, in Reihe, 650V, 10A, 28.5nC, TO-220AB, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AB, Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote STPSC10TH13TI nach Preis ab 4.57 EUR bis 10.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STPSC10TH13TI | STMicroelectronics |
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-220AB Insulated Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC10TH13TI | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode |
auf Bestellung 927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10TH13TI |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.12 EUR |
| 50+ | 4.61 EUR |
| 100+ | 4.57 EUR |
| STPSC10TH13TI |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
SiC Schottky Diodes Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.16 EUR |
| 10+ | 4.71 EUR |