
STPSC12H065D STMicroelectronics

SiC Schottky Diodes 650 V, 12 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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Technische Details STPSC12H065D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote STPSC12H065D nach Preis ab 3.31 EUR bis 5.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STPSC12H065D | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V |
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