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STPSC20065DI

STPSC20065DI STMicroelectronics

en.DM00288636.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 2mA
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.65V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
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Technische Details STPSC20065DI STMicroelectronics

Description: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220AC ins, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STPSC20065DI STPSC20065DI STMicroelectronics 1361953603560798a6.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
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STPSC20065DI STPSC20065DI STMicroelectronics 1361953603560798a6.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
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STPSC20065DI STPSC20065DI STMicroelectronics stpsc20065-1851869.pdf SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
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STPSC20065DI STPSC20065DI STMicroelectronics en.DM00288636.pdf Description: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
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Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
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Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
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