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STPSC20065W

STPSC20065W STMicroelectronics

stpsc20065-1851869.pdf Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
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Technische Details STPSC20065W STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STPSC20065W STPSC20065W Hersteller : STMicroelectronics 1361953603560798a6.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube
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STPSC20065W STPSC20065W Hersteller : STMicroelectronics 1361953603560798a6.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube
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STPSC20065W Hersteller : STMicroelectronics en.DM00288636.pdf STPSC20065W THT Schottky diodes
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STPSC20065W STPSC20065W Hersteller : STMicroelectronics en.DM00288636.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
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