STPSC20065W STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 12 EUR |
| 10+ | 8.68 EUR |
| 100+ | 7.18 EUR |
| 250+ | 6.81 EUR |
| 600+ | 6.23 EUR |
| 1200+ | 5.02 EUR |
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Technische Details STPSC20065W STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247, Packaging: Tube, Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads), Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: DO-247, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote STPSC20065W
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STPSC20065W | Hersteller : STMicroelectronics |
 Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STPSC20065W | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STPSC20065W | Hersteller : STMicroelectronics |
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STPSC20065W | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247 Packaging: Tube Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-247 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V |
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