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STPSC2H065B-TR

STPSC2H065B-TR STMicroelectronics

stpsc2h065.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
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Technische Details STPSC2H065B-TR STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STPSC2H065B-TR STPSC2H065B-TR STMicroelectronics stpsc2h065-1670743.pdf SiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 6993 Stücke:
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STPSC2H065B-TR STPSC2H065B-TR STMicroelectronics stpsc2h065.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
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SiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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2500+1.12 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
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