STPSC4H065DLF STMicroelectronics
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Technische Details STPSC4H065DLF STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 4A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 245pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote STPSC4H065DLF nach Preis ab 1.52 EUR bis 7.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STPSC4H065DLF | STMicroelectronics |
 Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R |
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STPSC4H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R |
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STPSC4H065DLF | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode |
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STPSC4H065DLF | STMicroelectronics |
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R |
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| STPSC4H065DLF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
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| STPSC4H065DLF |
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Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
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| 500+ | 2.57 EUR |
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| STPSC4H065DLF |
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Hersteller: STMicroelectronics
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 7.19 EUR |
| 10+ | 4.05 EUR |
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| 1000+ | 3.06 EUR |
| 3000+ | 1.7 EUR |
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| STPSC4H065DLF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Diode Schottky 650V 4A 4-Pin Power Flat EP T/R
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