STPSC6H065B-TR STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details STPSC6H065B-TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STPSC6H065B-TR nach Preis ab 1.67 EUR bis 5.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STPSC6H065B-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STPSC6H065B-TR | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c |
auf Bestellung 4144 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC6H065B-TR | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STPSC6H065B-TR | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 5557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC6H065B-TR |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.21 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| STPSC6H065B-TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c
auf Bestellung 4144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
| 1000+ | 1.78 EUR |
| 2500+ | 1.67 EUR |
| STPSC6H065B-TR |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC6H065B-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 6A, 18nC, TO-252
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.75 EUR |
| 61+ | 3.81 EUR |
| 100+ | 3.21 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| STPSC6H065B-TR |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.93 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.15 EUR |
| 1000+ | 1.99 EUR |