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STPSC6H12B-TR1

STPSC6H12B-TR1 STMicroelectronics


en.SGDIODRECT1120.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
auf Bestellung 5000 Stücke:

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Technische Details STPSC6H12B-TR1 STMicroelectronics

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DPAK, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STPSC6H12B-TR1 STPSC6H12B-TR1 Hersteller : STMicroelectronics SGST_S_A0002808227_1-2563828.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 6A Schottky 1.55V Vf 30pF 29nC
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STPSC6H12B-TR1 STPSC6H12B-TR1 Hersteller : STMicroelectronics en.SGDIODRECT1120.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 330pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
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10+4.11 EUR
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STPSC6H12B-TR1 Hersteller : STMicroelectronics en.SGDIODRECT1120.pdf STPSC6H12B-TR1 SMD Schottky diodes
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