STPSC806D STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.07 EUR |
| 10+ | 4.63 EUR |
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.64 EUR |
| 1000+ | 3.08 EUR |
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Technische Details STPSC806D STMicroelectronics
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote STPSC806D
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STPSC806D | Hersteller : STMicroelectronics |
 Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
auf Bestellung 745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC806D | Hersteller : STMicroelectronics |
STPSC806D THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STPSC806D | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
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