STPSC8H065DLF STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details STPSC8H065DLF STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PowerFLAT, Kapazitive Gesamtladung: 26nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STPSC8H065DLF nach Preis ab 2.83 EUR bis 7.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STPSC8H065DLF | STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode |
auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC8H065DLF | STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
auf Bestellung 3937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC8H065DLF | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 26nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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STPSC8H065DLF | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 26nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STPSC8H065DLF |
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Hersteller: STMicroelectronics
SiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode
SiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.39 EUR |
| 10+ | 4.84 EUR |
| 100+ | 3.42 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
| STPSC8H065DLF |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 3937 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.41 EUR |
| 10+ | 4.87 EUR |
| 100+ | 3.43 EUR |
| 500+ | 3.09 EUR |
| STPSC8H065DLF |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STPSC8H065DLF |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)