Produkte > STMICROELECTRONICS > STPSC8H065DLF
STPSC8H065DLF

STPSC8H065DLF STMicroelectronics

stpsc8h065dlf.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STPSC8H065DLF STMicroelectronics

Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V.

Weitere Produktangebote STPSC8H065DLF nach Preis ab 2.43 EUR bis 6.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STPSC8H065DLF STPSC8H065DLF Hersteller : STMicroelectronics stpsc8h065dlf-1851995.pdf SiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 1714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.02 EUR
10+3.56 EUR
100+2.73 EUR
250+2.71 EUR
500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLF STPSC8H065DLF Hersteller : STMicroelectronics stpsc8h065dlf.pdf Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
auf Bestellung 5156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.85 EUR
10+3.95 EUR
100+2.94 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLF STPSC8H065DLF Hersteller : STMICROELECTRONICS 2785648.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLF STPSC8H065DLF Hersteller : STMICROELECTRONICS 2785648.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC8H065DLF Hersteller : STMicroelectronics stpsc8h065dlf.pdf STPSC8H065DLF SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH