STPSC8H065DLF STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 2.36 EUR |
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Technische Details STPSC8H065DLF STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PowerFLAT, Kapazitive Gesamtladung: 26nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STPSC8H065DLF nach Preis ab 2.43 EUR bis 6.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STPSC8H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
SiC Schottky Diodes 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode |
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STPSC8H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: DIODE SIC 650V 8A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 460pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V |
auf Bestellung 5156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STPSC8H065DLF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 26nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STPSC8H065DLF | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STPSC8H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PowerFLAT Kapazitive Gesamtladung: 26nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 5 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC8H065DLF | Hersteller : STMicroelectronics |
STPSC8H065DLF SMD Schottky diodes |
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