Weitere Produktangebote STQ1HNK60R-AP nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STQ1HNK60R-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STQ1HNK60R-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STQ1HNK60R-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STQ1HNK60R-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package |
auf Bestellung 7435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STQ1HNK60R-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STQ1HNK60R-AP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ1HNK60R-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 400 mA, 8 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STQ1HNK60R-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |




