STQ1NK80ZR-AP STMicroelectronics
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Technische Details STQ1NK80ZR-AP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STQ1NK80ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 300 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STQ1NK80ZR-AP nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R |
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STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
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STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N Ch 800V 13 Ohm 1A |
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STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
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STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ1NK80ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 300 mA, 13 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R |
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| STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.3A 3-Pin TO-92 T/R |
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STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R |
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| STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 250mA; Idm: 5A; 2.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 2.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STQ1NK80ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 250mA; Idm: 5A; 2.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 2.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement |
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