STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.5A
Case: TO92 Formed
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11nC
Power dissipation: 3W
Pulsed drain current: 2A
auf Bestellung 1787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 70+ | 1.03 EUR |
| 95+ | 0.76 EUR |
| 116+ | 0.62 EUR |
| 128+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
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Technische Details STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STQ2HNK60ZR-AP nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.02 EUR
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.5A Case: TO92 Formed Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement Gate charge: 11nC Power dissipation: 3W Pulsed drain current: 2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1787 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package |
auf Bestellung 3767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STQ2HNK60ZR-AP |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STQ2HNK60ZR-AP Produktcode: 182267
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
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