STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
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| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 1.33 EUR |
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Technische Details STQ2HNK60ZR-AP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STQ2HNK60ZR-AP nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.78 EUR
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
STQ2HNK60ZR-AP THT N channel transistors |
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| STQ2HNK60ZR-AP |
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STQ2HNK60ZR-AP Produktcode: 182267
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R |
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STQ2HNK60ZR-AP | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
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