STR2N2VH5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STR2N2VH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STR2N2VH5 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 9.2A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 9.2A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 9.2A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 9.2A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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