STR2N2VH5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 9.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 9.2A
Drain current: 1.4A
Gate charge: 4.6nC
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 1.38 EUR |
| 74+ | 1.15 EUR |
| 83+ | 1.04 EUR |
| 118+ | 0.73 EUR |
| 124+ | 0.69 EUR |
| 300+ | 0.57 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STR2N2VH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Weitere Produktangebote STR2N2VH5 nach Preis ab 0.5 EUR bis 3.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STR2N2VH5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V |
auf Bestellung 11440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
STR2N2VH5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 3140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
STR2N2VH5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 3140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
STR2N2VH5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V |
auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| STR2N2VH5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V
MOSFETs N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V
auf Bestellung 11440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.31 EUR |
| 10+ | 1.46 EUR |
| 100+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 3000+ | 0.58 EUR |
| 6000+ | 0.52 EUR |
| STR2N2VH5 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 2.8 EUR |
| 155+ | 1.5 EUR |
| 217+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1500+ | 0.5 EUR |
| STR2N2VH5 |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STR2N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 3140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.8 EUR |
| 155+ | 1.5 EUR |
| 217+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
| 1500+ | 0.5 EUR |
| STR2N2VH5 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.27 EUR |
| 11+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |