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STR2P3LLH6

STR2P3LLH6 STMicroelectronics

en.dm00084050.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details STR2P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB8905E18940760C7&compId=str2p3llh6.pdf?ci_sign=487b945068c87ac7c46d24929ec325579b4c5158 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.2A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
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Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A
Technology: STripFET™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -8A
Drain current: -1.2A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
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Produktcode: 150689
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STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics str2p3llh6-1851969.pdf MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
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STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00084050.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
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STR2P3LLH6 STR2P3LLH6 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371857.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
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