STR2P3LLH6 STMicroelectronics
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Technische Details STR2P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STR2P3LLH6 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.97 EUR
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8A Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™; unipolar; -30V; -1.2A; Idm: -8A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC Technology: STripFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8A Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
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STR2P3LLH6 Produktcode: 150689
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STR2P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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STR2P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
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