STS10P3LLH6 STMicroelectronics
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Technische Details STS10P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote STS10P3LLH6 nach Preis ab 0.97 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET P-CH 30V 12.5A 8-Pin SO N T/R |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET P-channel -30 V, 0.01 Ohm typ -12.5 A, STripFET H6 Power MOSFET |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS10P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.5A 8-Pin SO N T/R |
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| STS10P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.5A 8-Pin SO N T/R |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 12.5A 8-Pin SO N T/R |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V |
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STS10P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V |
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