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STS4DNF60L

STS4DNF60L STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.92 EUR
5000+0.88 EUR
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Technische Details STS4DNF60L STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
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2500+0.92 EUR
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
5000+0.87 EUR
7500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
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2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics STS4DNF60L.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.12 EUR
35+2.5 EUR
40+2.13 EUR
61+1.42 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 8898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.13 EUR
76+2.3 EUR
100+1.75 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
7500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.65 EUR
10+3.25 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.62 EUR
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics en.CD00001553.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMICROELECTRONICS SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMicroelectronics cd0000155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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STS4DNF60L STS4DNF60L STMICROELECTRONICS SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STS4DNF60L ST en.CD00001553.pdf 2xN-MOSFET 4A 60V 2W STS4DNF60L SOIC8 STM TSTS4DNF60L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.92 EUR
5000+0.87 EUR
7500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.93 EUR
5000+0.87 EUR
7500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
7500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; STripFET™ II; unipolar; 60V; 3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.12 EUR
35+2.5 EUR
40+2.13 EUR
61+1.42 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 8898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.13 EUR
76+2.3 EUR
100+1.75 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
7500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
auf Bestellung 3097 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.65 EUR
10+3.25 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.71 EUR
2500+1.62 EUR
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STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 7018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STS4DNF60L SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STS4DNF60L
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STS4DNF60L
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 8-Pin SO N T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STS4DNF60L SGSTS36791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STS4DNF60L
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STS4DNF60L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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2xN-MOSFET 4A 60V 2W STS4DNF60L SOIC8 STM TSTS4DNF60L
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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