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STS5P3LLH6

STS5P3LLH6 STMicroelectronics

en.DM00084057.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Technische Details STS5P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STS5P3LLH6 STS5P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics sts5p3llh6.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
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STS5P3LLH6 STS5P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics sts5p3llh6.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R
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STS5P3LLH6 STS5P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics sts5p3llh6-1851709.pdf MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package
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Mindestbestellmenge: 2
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STS5P3LLH6 STS5P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00084057.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
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STS5P3LLH6 STS5P3LLH6 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2819096.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1505 Stücke:
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STS5P3LLH6 STS5P3LLH6 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2819096.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STS5P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00084057.pdf STS5P3LLH6 SMD P channel transistors
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