STS6P3LLH6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 6 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 1.71 EUR |
| 10+ | 1.32 EUR |
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| 500+ | 0.75 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2500+ | 0.58 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
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Technische Details STS6P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STS6P3LLH6 nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STS6P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V |
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STS6P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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STS6P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.7W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STS6P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STS6P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STS6P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STS6P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V |
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