STS6P3LLH6

STS6P3LLH6 STMicroelectronics


en.DM00076385.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V
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Technische Details STS6P3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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STS6P3LLH6 STS6P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics sts6p3llh6-1852025.pdf MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 6 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET
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STS6P3LLH6 STS6P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00076385.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V
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STS6P3LLH6 STS6P3LLH6 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS50518-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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STS6P3LLH6 STS6P3LLH6 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS50518-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2490 Stücke:
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STS6P3LLH6 STS6P3LLH6 Hersteller : STMicroelectronics sts6p3llh6.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R
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