STS8DN3LLH5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.11 EUR |
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Technische Details STS8DN3LLH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0155 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET V Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STS8DN3LLH5 nach Preis ab 1.08 EUR bis 3.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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STS8DN3LLH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr |
auf Bestellung 14207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STS8DN3LLH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
auf Bestellung 4669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STS8DN3LLH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0155 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STS8DN3LLH5 |
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auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STS8DN3LLH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R |
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