STU10NM60N

STU10NM60N STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D743FFB6466745&compId=STD10NM60N.pdf?ci_sign=f941660c00468060e164548725c246bda9f61e1c Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
68+1.06 EUR
89+0.81 EUR
94+0.76 EUR
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Technische Details STU10NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251 (IPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V.

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STU10NM60N STU10NM60N Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D743FFB6466745&compId=STD10NM60N.pdf?ci_sign=f941660c00468060e164548725c246bda9f61e1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STU10NM60N STU10NM60N Hersteller : STMicroelectronics std10nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
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STU10NM60N STU10NM60N Hersteller : STMicroelectronics dm00252.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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STU10NM60N STU10NM60N Hersteller : STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
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