STU4N80K5 STMicroelectronics
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Technische Details STU4N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STU4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STU4N80K5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STU4N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STU4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STU4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STU4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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| STU4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STU4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V |
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| STU4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 10.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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