STU6N95K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.59 EUR |
| 75+ | 1.98 EUR |
| 150+ | 1.95 EUR |
| 525+ | 1.91 EUR |
| 1050+ | 1.83 EUR |
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Technische Details STU6N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STU6N95K5 nach Preis ab 1.95 EUR bis 3.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STU6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5 |
auf Bestellung 5463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STU6N95K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STU6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STU6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STU6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 9.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STU6N95K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 9A; Idm: 24A; 90W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 9A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 9.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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