STU6NF10 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.92 EUR |
| 75+ | 0.94 EUR |
| 150+ | 0.82 EUR |
| 525+ | 0.76 EUR |
| 1050+ | 0.67 EUR |
| 2025+ | 0.66 EUR |
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Technische Details STU6NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STU6NF10 nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STU6NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 100V-0.22ohms 6A |
auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STU6NF10 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STU6NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STU6NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STU6NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |