Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STU9HN65M2

STU9HN65M2

Produktcode: 199737
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STU9HN65M2 nach Preis ab 0.071 EUR bis 2.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STU9HN65M2 STU9HN65M2 Hersteller : STMicroelectronics 2182066740172490dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2017+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 2017
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9HN65M2 STU9HN65M2 Hersteller : STMicroelectronics SGST_S_A0003112112_1-2563856.pdf MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 1699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.41 EUR
10+1.16 EUR
100+1.04 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9HN65M2 STU9HN65M2 Hersteller : STMicroelectronics 2182066740172490dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU9HN65M2 STU9HN65M2 Hersteller : STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH