STW10N95K5

STW10N95K5 STMicroelectronics


en.DM00088506.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
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Technische Details STW10N95K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperMESH 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (07-Jul-2017).

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STW10N95K5 STW10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics stb10n95k5-1517382.pdf MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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STW10N95K5 STW10N95K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00088506.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW10N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
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STW10N95K5 STW10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 1017004776732557dm00088506.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 1017004776732557dm00088506.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics stw10n95k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW10N95K5 STW10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 1017004776732557dm00088506.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics stw10n95k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5A; Idm: 32A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
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