STW11NK100Z STMicroelectronics
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Technische Details STW11NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STW11NK100Z nach Preis ab 138.31 EUR bis 138.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| STW11NK100Z | Hersteller : ST |
 N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100ZAnzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| STW11NK100Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STW11NK100Z Produktcode: 72114 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 1000 V Idd,A: 8,3 A Rds(on), Ohm: 1,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113 JHGF: THT |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A On-state resistance: 1.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A On-state resistance: 1.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
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