STW11NK100Z STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STW11NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STW, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STW11NK100Z nach Preis ab 2.17 EUR bis 12.23 EUR
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH |
auf Bestellung 5203 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| STW11NK100Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| STW11NK100Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STW11NK100Z Produktcode: 72114
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 1000 V Idd,A: 8,3 A Rds(on), Ohm: 1,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3500/113 JHGF: THT |
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| STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD Case: TO247 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A On-state resistance: 1.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW11NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD Case: TO247 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.3A On-state resistance: 1.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT |
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