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STW11NK100Z

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Hersteller: ST
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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Technische Details STW11NK100Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STW, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18600 Stücke:
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics STW11NK100Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.76 EUR
12+7.41 EUR
15+5.75 EUR
20+4.87 EUR
30+4.44 EUR
60+3.96 EUR
120+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.01 EUR
28+6.4 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+11.98 EUR
25+6.85 EUR
100+5.12 EUR
600+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.09 EUR
25+7.07 EUR
100+5.36 EUR
600+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.CD00003426.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.88 EUR
30+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.CD00003426.pdf MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.84 EUR
10+7.98 EUR
100+7.79 EUR
600+6.56 EUR
1200+5.7 EUR
3000+5.55 EUR
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMICROELECTRONICS SGSTS31104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 32286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STW11NK100Z ST en.CD00003426.pdf N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW11NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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11+7.76 EUR
12+7.41 EUR
15+5.75 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 12252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STW11NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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30+7.41 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+13.84 EUR
10+7.98 EUR
100+7.79 EUR
600+6.56 EUR
1200+5.7 EUR
3000+5.55 EUR
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STW11NK100Z SGSTS31104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW11NK100Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
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