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STW11NK100Z

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Hersteller: ST
N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
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Technische Details STW11NK100Z ST

Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 230W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STW, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 18600 Stücke:
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics STW11NK100Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9.15 EUR
11+8.5 EUR
14+6.41 EUR
20+5.58 EUR
30+5.18 EUR
60+4.58 EUR
90+4.31 EUR
120+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.39 EUR
27+6.44 EUR
100+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 493 Stücke:
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17+10.39 EUR
27+6.58 EUR
100+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 8755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.13 EUR
25+7.09 EUR
100+5.38 EUR
600+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.cd00003426.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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15+12.19 EUR
25+6.97 EUR
100+5.21 EUR
600+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.CD00003426.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.88 EUR
30+7.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMicroelectronics en.CD00003426.pdf MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+9.57 EUR
100+7.79 EUR
600+6.89 EUR
1200+6.24 EUR
3000+5.55 EUR
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STW11NK100Z STW11NK100Z STMICROELECTRONICS SGSTS31104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
auf Bestellung 32146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.52 EUR
27+8.84 EUR
100+7.97 EUR
500+5.4 EUR
1000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STW11NK100Z ST en.CD00003426.pdf N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW11NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.3A; 230W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Description: MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 4.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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MOSFETs N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2294 Stücke:
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1+14.47 EUR
10+9.57 EUR
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600+6.89 EUR
1200+6.24 EUR
3000+5.55 EUR
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STW11NK100Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW11NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38ohm
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27+8.84 EUR
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500+5.4 EUR
1000+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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N-MOSFET 8.3A 1000V 230W 1.38Ω Supersedes 2SK1120 STW11NK100Z TSTW11NK100Z
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
auf Bestellung 55 Stücke:
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