STW11NM80 STMicroelectronics
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Technische Details STW11NM80 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STW11NM80 nach Preis ab 3.26 EUR bis 9.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW11NM80 | Hersteller : ST |
N-MOSFET 11A 800V 150W 0.4Ω STW11NM80 TSTW11NM80 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
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STW11NM80 Produktcode: 73261 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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