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Technische Details STW120NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 312, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STW120NF10 nach Preis ab 7.88 EUR bis 15.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STW120NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
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STW120NF10 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 312 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 312 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| STW120NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Technology: STripFET™ II On-state resistance: 10.5mΩ Drain current: 77A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 440A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW120NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW120NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW120NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW120NF10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; Idm: 440A Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Technology: STripFET™ II On-state resistance: 10.5mΩ Drain current: 77A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 440A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W |
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