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STW120NF10

STW120NF10 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STW120NF10 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW120NF10 STW120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
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STW120NF10 STW120NF10 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003588193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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