Technische Details STW12N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm.
Weitere Produktangebote STW12N120K5 nach Preis ab 8.09 EUR bis 26.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STW12N120K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW12N120K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW12N120K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7.6A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 620mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW12N120K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW12N120K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) |
auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW12N120K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW12N120K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW12N120K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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