STW12N120K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 16.65 EUR |
| 30+ | 13.3 EUR |
| 120+ | 11.9 EUR |
| 510+ | 10.5 EUR |
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Technische Details STW12N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Weitere Produktangebote STW12N120K5 nach Preis ab 9.5 EUR bis 23.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package |
auf Bestellung 575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW12N120K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7.6A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 620mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW12N120K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1200V; 7.6A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 7.6A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 620mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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