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STW12N150K5

STW12N150K5 STMicroelectronics

en.dm00182307.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details STW12N150K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW12N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW12N150K5 STW12N150K5 STMicroelectronics en.dm00182307.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12N150K5 STW12N150K5 STMicroelectronics STW12N150K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 4A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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10+9.12 EUR
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STW12N150K5 STW12N150K5 STMicroelectronics en.dm00182307.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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STW12N150K5 STW12N150K5 STMicroelectronics en.dm00182307.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12N150K5 STW12N150K5 STMicroelectronics en.DM00182307.pdf MOSFETs N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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10+9.48 EUR
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STW12N150K5 STW12N150K5 STMicroelectronics en.DM00182307.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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2+17.93 EUR
30+10.53 EUR
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STW12N150K5 STW12N150K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001221319-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STW12N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1500V; 4A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Trans MOSFET N-CH 1.5KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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13+13.98 EUR
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MOSFETs N-channel 1500 V, 1.6 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 7A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
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30+10.53 EUR
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120+8.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW12N150K5
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW12N150K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 5928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.56 EUR
13+18.08 EUR
15+14.65 EUR
50+12.26 EUR
100+11.22 EUR
250+10.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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