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STW12NK80Z

STW12NK80Z

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Produktcode: 33689
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Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 10,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2620/87
Montage: THT
auf Bestellung 21 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.52 EUR
10+8.32 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.34 EUR
120+3.19 EUR
510+3.03 EUR
1020+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
51+3.45 EUR
120+3.33 EUR
510+3.24 EUR
1020+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.63 EUR
19+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.69 EUR
10+7.27 EUR
100+6.09 EUR
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STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.13 EUR
30+6.94 EUR
120+5.8 EUR
510+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STW12NK80Z STW12NK80Z STMICROELECTRONICS 2307462.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.22 EUR
30+7.98 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK80Z STX12NK80Z-DTE.pdf
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STW12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
auf Bestellung 368 Stücke:
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STW12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
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STW12NK80Z 2307462.pdf
STW12NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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UC3843BD1 (SO-8)
Produktcode: 14241
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UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BD1 (SO-8)
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 250 kHz
Temperaturbereich: -65…+150°C
auf Bestellung 161 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.5 EUR
10+0.35 EUR
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15 Ohm 5W 5% (SQP50JB-15R)
Produktcode: 15073
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SQP_080911.pdf
15 Ohm 5W 5% (SQP50JB-15R)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Nennwert: 15 Ohm
Leistung: 5 W
Toleranz: ±5%
U Betriebs. max., V: 750 V
Abmessungen, mm: 22.0x10.0x9.5; dlead = 0.8
Typ: bedrahtet, Zement, drahtgewickelt
verfügbar: 111 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 61 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 500 St.
  • 500 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.095 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CF1/4W-1K )
Produktcode: 13760
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cf_resistor-datasheet.pdf
1 kOhm 5% 0,25W bedrahtet (CF1/4W-1K )
Hersteller: SR PASSIVES
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1 kOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 6x2.3 mm; Dlead=0.4 mm
Typ: Kohleschicht
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BYV26C
Produktcode: 4089
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BYV26 series.pdf
BYV26C
Hersteller: Yangjie/LGE
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 600 V
Mittlerer Strom Iav, A: 1 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 30 ns
Montage: THT
Warennummer: 8541 10 00 10
verfügbar: 275 St.
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.42 EUR
    10+0.38 EUR
    100+0.36 EUR
    1000+0.12 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    22 Ohm 5% 1W bedrahtet (CR100SJTB-22R-Hitano)
    Produktcode: 1679
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		CR-S_080911.pdf
    22 Ohm 5% 1W bedrahtet (CR100SJTB-22R-Hitano)
    Hersteller: Hitano
    Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
    Nennwert: 22 Ohm
    Toleranz und TKR: ±5%
    P Nenn.: 1 W
    U Betrieb: 500 V
    Abmessungen: 9x3mm; D_Anschl.=0.64mm
    Typ: Kohleschicht, miniatur
    Temperatur: -55...+125°C
    verfügbar: 2822 St.
    • 300 St. - stock Köln
    • 2522 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    10+0.021 EUR
    100+0.018 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 St.
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH