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STW12NK80Z

STW12NK80Z

8977ferf7hfw.pdf
Produktcode: 33689
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 10.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.65
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
JHGF: THT
auf Bestellung 32 Stück:
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.68 EUR
33+2.17 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4200 Stücke:
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600+4.09 EUR
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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120+3.29 EUR
510+3.14 EUR
1020+2.98 EUR
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics stb12nk80z-1850221.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.10 EUR
30+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307462.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10.5 A, 0.65 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STW12NK80Z STW12NK80Z Hersteller : STMicroelectronics cd0000337.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
Produktcode: 1318
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470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
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10+0.22 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.07 EUR
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1N5408
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 7705 Stück
65 Stück - stock Köln
7640 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 Stück
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10+0.05 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.04 EUR
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+1
Hersteller: Hitano
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Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 35x40mm
Lebensdauer: 35x40mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 148 Stück:
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10+3.92 EUR
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№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 14134 Stück
300 Stück - stock Köln
13834 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 4,7
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Pmax: 0,4
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№ 6: 8541100090
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