STW12NK80Z
Produktcode: 33689
Hersteller: STGehäuse: TO-247
Uds,V: 800
Idd,A: 10.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.65
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
JHGF: THT
auf Bestellung 19 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 8 EUR |
10+ | 6.99 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote STW12NK80Z nach Preis ab 7.02 EUR bis 14.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW12NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
STW12NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
STW12NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
STW12NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
STW12NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (Elektrolytkondensator) Produktcode: 2999 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 35x40mm
Lebensdauer: 35x40mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 35x40mm
Lebensdauer: 35x40mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 180 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.2 EUR |
10+ | 3.92 EUR |
100+ | 3.45 EUR |
470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano) Produktcode: 1318 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 6824 Stück
erwartet:
10000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.26 EUR |
10+ | 0.22 EUR |
100+ | 0.19 EUR |
1000+ | 0.065 EUR |
1N5408 Produktcode: 2135 |
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 12500 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.069 EUR |
10+ | 0.049 EUR |
100+ | 0.044 EUR |
1000+ | 0.042 EUR |
4,7uF 50V ECR 5x11mm (ECR4R7M50B-Hitano) Produktcode: 3138 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 9007 Stück
erwartet:
10000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.014 EUR |
1000+ | 0.011 EUR |
BZV55-C4V7 Produktcode: 3642 |
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 4,7
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -1.4mV/K
№ 6: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 4,7
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -1.4mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 1271 Stück
erwartet:
3000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
1000+ | 0.027 EUR |