STW13NK100Z STMicroelectronics
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Technische Details STW13NK100Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STW13NK100Z nach Preis ab 14.78 EUR bis 14.78 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STW13NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW13NK100Z | Hersteller : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STW13NK100Z Produktcode: 38847 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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STW13NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW13NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STW13NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.2A On-state resistance: 0.56Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STW13NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
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STW13NK100Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.2A On-state resistance: 0.56Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 350W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
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