STW15N95K5

STW15N95K5 STMicroelectronics


stf15n95k5-1850621.pdf Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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Technische Details STW15N95K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 12A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW15N95K5 STW15N95K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS50874-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STW15N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
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STW15N95K5 STW15N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 3670dm00095839.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 3670dm00095839.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15N95K5 STW15N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 3670dm00095839.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15N95K5 STW15N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 3670dm00095839.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW15N95K5 STW15N95K5 Hersteller : STMicroelectronics STx15N95K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW15N95K5 STW15N95K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00095839.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
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STW15N95K5 STW15N95K5 Hersteller : STMicroelectronics STx15N95K5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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