STW18N65M5

STW18N65M5 STMicroelectronics


en.DM00049722.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
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Technische Details STW18N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW18N65M5 STW18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics stf18n65m5-1850512.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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STW18N65M5 STW18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics dm00049722.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW18N65M5 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4D50A5360D2&compId=stw18n65m5.pdf?ci_sign=7329d71739dea5daedc971a5e26bc946658b33e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 31nC
Pulsed drain current: 60A
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