STW20N90K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 16.82 EUR |
| 30+ | 13.44 EUR |
| 120+ | 12.03 EUR |
| 510+ | 10.61 EUR |
| 1020+ | 9.55 EUR |
| 2010+ | 8.95 EUR |
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Technische Details STW20N90K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm.
Weitere Produktangebote STW20N90K5 nach Preis ab 9.15 EUR bis 16.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STW20N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ 20 A MDmesh K5 Power MOSFET |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STW20N90K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
auf Bestellung 2606 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STW20N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STW20N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW20N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STW20N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STW20N90K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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