STW24N60M6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.75 EUR |
| 10+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 2.97 EUR |
| 600+ | 2.39 EUR |
| 1200+ | 2.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STW24N60M6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 10.7A, Pulsed drain current: 52.5A, Power dissipation: 130W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 162mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 23nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote STW24N60M6 nach Preis ab 2.97 EUR bis 6.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW24N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
STW24N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
STW24N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| STW24N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||
| STW24N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A; 130W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 52.5A Power dissipation: 130W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 162mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |