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STW25N60M2-EP

STW25N60M2-EP STMicroelectronics


en.DM00263179.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
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Technische Details STW25N60M2-EP STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V.

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STW25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics en.DM00263179.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
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STW25N60M2-EP STW25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics dm00263.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STW25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CCA0D2&compId=stw25n60m2-ep.pdf?ci_sign=1a9710111e0c7f96dd649f7703c852195f46178a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.175Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STW25N60M2-EP Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B4FE16CCA0D2&compId=stw25n60m2-ep.pdf?ci_sign=1a9710111e0c7f96dd649f7703c852195f46178a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.175Ω
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