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STW26NM50 (TO-247, ST)

STW26NM50 (TO-247, ST)

stw26nm50.pdf
Produktcode: 130997
Hersteller: ST
Uds,V: 500 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/76
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STW26NM50 STW26NM50 Hersteller : STMicroelectronics STW26NM50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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11+7.14 EUR
12+ 6.42 EUR
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16+ 4.72 EUR
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STW26NM50 STW26NM50 Hersteller : STMicroelectronics STW26NM50-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.9A; 313W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.9A
Power dissipation: 313W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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STW26NM50 STW26NM50 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002680.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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2+25.92 EUR
30+ 21 EUR
120+ 19.76 EUR
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STW26NM50 STW26NM50 Hersteller : STMicroelectronics stw26nm50-1851953.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp
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Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 25.17 EUR
25+ 18.56 EUR
50+ 18.51 EUR
100+ 17.81 EUR
250+ 16.87 EUR
600+ 16.43 EUR
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STW26NM50 STW26NM50 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS35618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW26NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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Produktcode: 22361		 description irfp460A.pdf
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Ucbo,V: 60
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h21: 300
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Anzahl Preis ohne MwSt
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Produktcode: 3644		 ECR_081225.pdf
10uF 63V ECR 5x11mm (ECR100M63B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 467 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.022 EUR
100+ 0.011 EUR
1000+ 0.0099 EUR
BC807-40
Produktcode: 3638		 BC807_.pdf
BC807-40
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Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1200 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.03 EUR
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330uF 250V ELP 22x35mm (ELP331M2EBA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 330uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 22x35mm
Lebensdauer: 22х35mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 86 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
10+ 1.4 EUR